Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている.HfO_2/Geは600℃でのアニールによって大きく特性が劣化するのに対し,Y_2O_3/Geでは良好な特性を維持できる.このようなHigh-k材料間の決定的な差は,High-k/Ge界面の質の違いによるものであり,それは主にGe界面近傍での結晶性の違いに由来するものと考えられる.600℃のアニールを行うとY_2O_3はGeとの界面反応によってY-ジャーマネートを形成してアモルファス化するが,HfO_2は結晶膜のままである.このことから,Geデバイスに適用されるHigh-k膜は,Geと穏やかな反応性を持ち,界面でアモルファス化する材料から選ばれるべきだと考えられる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
能村 英幸
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
鈴木 翔
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
高橋 俊岳
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
鈴木 翔
東京大学大学院
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