Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)

元データ 2007-05-31 社団法人電子情報通信学会

概要

High-k/Ge MISキャパシタの電気特性はHigh-k材料によって大きく異なっている.HfO_2/Geは600℃でのアニールによって大きく特性が劣化するのに対し,Y_2O_3/Geでは良好な特性を維持できる.このようなHigh-k材料間の決定的な差は,High-k/Ge界面の質の違いによるものであり,それは主にGe界面近傍での結晶性の違いに由来するものと考えられる.600℃のアニールを行うとY_2O_3はGeとの界面反応によってY-ジャーマネートを形成してアモルファス化するが,HfO_2は結晶膜のままである.このことから,Geデバイスに適用されるHigh-k膜は,Geと穏やかな反応性を持ち,界面でアモルファス化する材料から選ばれるべきだと考えられる.

著者

鳥海 明 東京大学大学院
喜多 浩之 東京大学
西村 知紀 東京大学
鳥海 明 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
鳥海 明 半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
能村 英幸 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
喜多 浩之 東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
西村 知紀 東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
鳥海 明 東京大学
鳥海 明 東京大学大学院工学系研究科
鈴木 翔 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
高橋 俊岳 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
喜多 浩之 東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
鈴木 翔 東京大学大学院

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