High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(<特集>IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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本報告ではhigh-k/SiO_2界面に本質的に生じるダイポール層が、ゲートスタックのフラットバンド電圧や閾値電圧のみならず、反転層移動度に対しても強く影響していることを報告する。その一方、high-k材料からの光学フォノン散乱(remote phonon散乱)の影響は極めて小さいことが、結晶構造の異なるHfO_2ゲートスタックの移動度比較の実験から分かった。
- 2008-01-17
著者
-
右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
平野 晃人
半導体MIRAI-ASET
-
渡邉 幸宗
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
-
秋山 浩二
半導体MIRAI-ASET
-
岡田 健治
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
鳥海 明
東京大学
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
Okada K
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
-
岡田 健治
松下電器産業(株)
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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