MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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電気的な測定はボタンを押せば、世界最高レベルの物理分析技術よりも何桁も高精度の測定が可能である。このことは逆に評価しているものが何であるかを理解していないと、"物理的な理解"というものに大きな誤解を与えることにもなる。本報告ではMOSFETでもっとも重要なデバイス評価パラメータであるcarrierのモビリティの評価手法と,その散乱機構の解析によく使われるMattiessen則の妥当性について議論する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-06-02
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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