Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
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概要
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Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問題となっている。これは、ゲート電極の仕事関数が、あるエネルギー位置に固定(ピニング)される現象として説明される。本研究では、このピニングを制御して閾値の調整を可能にする新規な2つの方法を提案する。一方は、HfAlO_x(N)膜中のAl濃度を制御する方法であり、他方はパーシャルシリサイドゲート電極及び、その電極への不純物ドーピングである。いずれも、45nmノードLSTP用LSIに有効な技術と考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-08-12
著者
-
高橋 正志
半導体mirai-aset
-
三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
-
藤原 英明
Mirai-aset
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
小川 有人
半導体MIRAI-ASET
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
門島 勝
MIRAI-ASET
-
小川 有人
MIRAI-ASET
-
高橋 正志
MIRAI-ASET
-
太田 裕之
MIRAI-産総研ASRC
-
三瀬 信行
MIRAI-ASET
-
岩本 邦彦
MIRAI-ASET
-
右田 真司
MIRAI-産総研ASRC
-
佐竹 秀喜
MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
MIRAI-ASET
-
鳥海 明
MIRAI-産総研ASRC
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
鳥海 明
東京大学
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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