Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))

元データ 2005-08-12 社団法人電子情報通信学会

概要

Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のCMOSFETへ適用が期待されているが、n-及びp-MOSFETの閾値が非対称になることが問題となっている。これは、ゲート電極の仕事関数が、あるエネルギー位置に固定(ピニング)される現象として説明される。本研究では、このピニングを制御して閾値の調整を可能にする新規な2つの方法を提案する。一方は、HfAlO_x(N)膜中のAl濃度を制御する方法であり、他方はパーシャルシリサイドゲート電極及び、その電極への不純物ドーピングである。いずれも、45nmノードLSTP用LSIに有効な技術と考えられる。

著者

高橋 正志 半導体mirai-aset
三瀬 信行 (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
藤原 英明 Mirai-aset
太田 裕之 半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
岩本 邦彦 半導体MIRAI-ASET
小川 有人 半導体MIRAI-ASET
佐竹 秀喜 半導体MIRAIプロジェクト-ASET
門島 勝 半導体MIRAIプロジェクト-ASET
門島 勝 MIRAI-ASET
小川 有人 MIRAI-ASET
高橋 正志 MIRAI-ASET
太田 裕之 MIRAI-産総研ASRC
三瀬 信行 MIRAI-ASET
岩本 邦彦 MIRAI-ASET
右田 真司 MIRAI-産総研ASRC
佐竹 秀喜 MIRAI-ASET
生田目 俊秀 MIRAI-ASET
鳥海 明 MIRAI-産総研ASRC
鳥海 明 半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
太田 裕之 産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
鳥海 明 東京大学
右田 真司 産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
生田目 俊秀 (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
右田 真司 (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
右田 真司 産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
右田 真司 産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

関連論文

▼もっと見る