グラフェン/金属コンタクトの重要性 : 移動度とコンタクト抵抗の解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
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グラファイト単層のグラフェンは,10,000cm^2/Vs以上の高移動度を有することから次世代高速トランジスタとして注目されている.グラフェンと金属電極間のコンタクト抵抗は,潜在的に高いグラフェンFETのメリットを最大限生かす上で最も重要である.本報では,コンタクト特性について議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-01-22
著者
-
喜多 浩之
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学
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鳥海 明
東京大学
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長汐 晃輔
東京大学マテリアル工学専攻
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西村 知紀
東京大学マテリアル工学専攻
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喜多 浩之
東京大学マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学マテリアル工学専攻
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