GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証
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概要
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- 2010-01-22
著者
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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