長汐 晃輔 | 東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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概要
関連著者
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長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院
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喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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長汐 晃輔
東京大学
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李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学
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長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
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喜多 浩之
東京大学
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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西村 知紀
東京大学
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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王 盛凱
東京大学
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吉田 まほろ
東京大学
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王 成凱
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
-
田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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横山 孝理
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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朴 昌範
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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西道 典弘
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
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長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
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西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
著作論文
- GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上--Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 (シリコン材料・デバイス)
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 2.グラフェンFETの界面に対する理解と制御(ナノデバイス)
- グラフェンFETの界面に対する理解と制御