李 忠賢 | 東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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概要
関連著者
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鳥海 明
東京大学大学院
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喜多 浩之
東京大学
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西村 知紀
東京大学
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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長汐 晃輔
東京大学
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鳥海 明
東京大学
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李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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王 盛凱
東京大学
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喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
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吉田 まほろ
東京大学
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吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
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喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
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田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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長汐 晃輔
東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
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李 忠賢
東京大学
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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喜多 浩之
東京大学工学部
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長汐 晃輔
東京大学マテリアル工学専攻
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西村 知紀
東京大学マテリアル工学専攻
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西道 典弘
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
著作論文
- Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))