佐竹 秀喜 | (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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概要
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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著作論文
- シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
- 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 重水素による極薄ゲート酸化膜の高信頼化実証と信頼性向上機構の解明
- 極薄ゲート酸化膜絶縁破壊機構の解明と新高信頼化成膜プロセスの提案