江口 和弘 | 半導体理工学センター(STARC)
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概要
関連著者
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江口 和弘
半導体理工学センター(STARC)
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江口 和弘
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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江口 和弘
(株)東芝
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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金子 明生
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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稲葉 聡
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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青木 伸俊
(株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター
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綱島 祥隆
(株)東芝 セミコンダクター社
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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須黒 恭一
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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関根 克行
東芝 セミコンダクター社
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青木 伸俊
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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川崎 博久
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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八木下 淳史
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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高柳 万里子
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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青木 伸俊
マイクロエレクトロニクス研
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金村 貴永
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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金子 明生
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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関根 克行
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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石内 秀美
(株)東芝
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犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
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金村 貴永
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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窪田 壮男
株式会社半導体先端テクノロジーズ
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青木 伸俊
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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岡野 王俊
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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須黒 恭一
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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近藤 正樹
(株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター
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石丸 一成
(株)東芝セミコンダクター社
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稲葉 聡
(株)東芝セミコンダクター社
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泉田 貴士
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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伊藤 早苗
(株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部
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青木 伸俊
(株)東芝soc開発センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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伊藤 早苗
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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矢橋 勝典
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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須黒 恭一
(株)東芝
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佐藤 基之
東芝 セミコンダクター社
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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渡辺 健
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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山口 豪
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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中崎 靖
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
東芝
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中崎 靖
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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小山 正人
(株)東芝研究開発センター
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佐藤 基之
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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犬宮 誠治
東芝
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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山口 豪
(株)東芝 研究開発センター
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中崎 靖
(株)東芝
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上殿 明良
筑波大学物理工学科
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宮野 清孝
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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松下 大介
(株)東芝研究開発センター
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村岡 浩一
(株)東芝研究開発センター
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松尾 浩司
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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吉丸 正樹
半導体理工学研究センター
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センター新機能材料・デバイスラボラトリー
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大島 永康
産業技術総合研究所
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松下 貴哉
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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佐々木 貴彦
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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大塚 伸朗
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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林 喜宏
半導体MIRAI-ASET
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松下 大介
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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豊島 義明
東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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大村 光弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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宮野 清孝
東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
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村岡 浩一
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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村岡 浩一
(株)東芝 研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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佐々木 貴彦
株式会社東芝
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水島 一郎
(株)東芝 研究開発センター
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遠田 利之
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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金村 貴永
半導体研究開発センター
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泉田 貴士
半導体研究開発センター
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青木 伸俊
半導体研究開発センター
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近藤 正樹
半導体研究開発センター
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伊藤 早苗
半導体研究開発センター
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遠田 利之
半導体研究開発センター
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岡野 王俊
半導体研究開発センター
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川崎 博久
半導体研究開発センター
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八木下 淳史
プロセス技術推進センター
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金子 明生
プロセス技術推進センター
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稲葉 聡
半導体研究開発センター
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中村 光利
半導体研究開発センター
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石丸 一成
半導体研究開発センター
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須黒 恭一
プロセス技術推進センター
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江口 和弘
プロセス技術推進センター
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石内 秀美
半導体研究開発センター
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川崎 博久
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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八木下 淳史
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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伊藤 早苗
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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小野 高稔
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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矢橋 勝典
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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岩出 健次
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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窪田 壮男
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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中村 光利
半導体研究開発センター:株式会社東芝
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金子 明生
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
八木下 淳史
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
窪田 壮男
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
大村 光広
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松尾 浩司
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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岡野 王俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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川崎 博久
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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泉田 貴士
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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古賀 淳二
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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稲葉 聡
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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石丸 一成
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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豊島 義明
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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江口 和弘
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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川崎 博久
東芝アメリカ電子部品社
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八木下 淳史
東芝アメリカ電子部品社
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石丸 一成
東芝アメリカ電子部品社
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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飯島 良介
東芝
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平野 泉
(株)東芝研究開発センター
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中村 友二
半導体理工学センター(starc)
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木下 敦寛
東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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小山 正人
東芝 研究開発センター
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井上 尚也
半導体理工学センター(STARC)
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林 喜宏
半導体理工学センター(STARC)
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廣瀬 幸範
半導体理工学センター(STARC)
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大島 永康
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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大塚 伸朗
(株)東芝 Soc研究開発センター
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加藤 弘一
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
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青木 伸俊
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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大塚 伸朗
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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金村 貴永
東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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大島 永康
産総研
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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福井 大伸
(株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター
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井上 尚也
大阪府立大学工学部情報工学科
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林 喜宏
NECシステムデバイス研究所
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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林 喜宏
NECシリコンシステム研究所
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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山崎 博之
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
福井 大伸
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
-
小島 健嗣
(株)東芝セミコンダクター社
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福島 伸
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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関根 克行
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
高柳 万里子
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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青山 知憲
(株)東芝セミコンダクター社
-
佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
-
佐久間 究
東芝
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菊地 祥子
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
佐久間 究
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
林 喜宏
マイクロエレクトロニクス研究所
-
林 喜宏
日本電気株式会社
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犬宮 誠治
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
木下 敦寛
東芝研究開発センター
-
木下 敦寛
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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古賀 淳二
東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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長谷川 英司
Necエレクトロニクス(株)
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綱島 祥隆
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
須黒 恭一
(株)東芝ulsi研究所
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飯島 良介
(株)東芝研究開発センター
-
小池 正浩
(株)東芝研究開発センター
-
井野 恒洋
(株)東芝研究開発センター
-
上牟田 雄一
(株)東芝研究開発センター
-
丹羽 祥子
(株)東芝
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鎌田 善己
(株)東芝
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鎌田 善己
東芝
-
小山 正人
東芝
-
山口 豪
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
平野 泉
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
飯島 良介
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
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江口 和弘
株式会社東芝セミコンダクター社
-
三谷 祐一郎
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
福島 伸
株式会社東芝LSI基盤技術ラボラトリー
-
古賀 淳二
東芝 研究開発センター
-
関根 克行
東芝セミコンダクター社
-
福島 伸
東芝 研開セ
-
佐藤 基之
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
江口 和弘
東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発推進センター
-
大島 永康
理化学研究所
-
渡部 宏治
NECエレクトロニクス(株)
-
吉丸 正樹
半導体理工学センター(starc)
-
高 大為
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
福島 伸
(株)東芝
著作論文
- 窒素高濃度極薄SiON膜のV_改善メカニズム(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmの CMOS FinFET のプロセスインテグレーション技術とデバイス特性
- バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 次世代極薄ゲート酸窒化膜形成技術
- 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
- 3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- hp32nmノード以降に向けた周辺回路がBulk Planar FET及びメモリセルがBulk-FinFETで構成されたSRAM技術について(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 低待機時電力HfSiON-CMOSFET技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- HfSiON-CMOSFETの高性能・高信頼性に向けたHf濃度の指針(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- プラズマ酸化とプラズマ窒化を用いた、低消費電力CMOSデバイス向けHfSiONゲート絶縁膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- HfSiONの熱活性型破壊モデル(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
- HfSiON高誘電率ゲート絶縁膜技術
- プラズマ窒化を用いた低消費電力CMOS用高移動度・低リーク電流Poly-Si/HfSiONゲートスタックの形成(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 高性能トランジスタ技術 (特集 半導体プロセス技術)
- 低Hf濃度キャップ層(Hf=6%)形成によるHfSiONゲート絶縁膜の電気特性および信頼性向上とそのメカニズム
- TEOSとtert-butoxideを用いたZr/Hfシリケイト薄膜の熱CVD
- 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出