水島 一郎 | 東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

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概要

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• 東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センターの論文著者

関連著者

• 水島 一郎

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 青木 伸俊

  マイクロエレクトロニクス研

• 水島 一郎

  (株)東芝 研究開発センター

• 佐藤 力

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 佐藤 力

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 青木 伸俊

  (株)東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 山内 淳

  慶大理工

• 青木 伸俊

  (株)東芝soc開発センター

• 石内 秀美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 綱島 祥隆

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 大脇 幸人

  (株)東芝 ULSI研究所

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 中村 雅一

  (株)東レリサーチセンター表面科学研究部

• 松沢 一也

  (株)半導体理工学研究センター(STARC)

• 大内 和也

  SoC研究開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 佐藤 力

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松沢 一也

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 窪田 壮男

  株式会社半導体先端テクノロジーズ

• 大内 和也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 宮野 清孝

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 豊島 義明

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 松尾 浩司

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 林 久貴

  (株)東芝セミコンダクター社

• 安武 信昭

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 井納 和美

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 外園 明

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 新居 英明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部

• 山田 誠司

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 永野 元

  プロセス技術推進センター

• 平野 智之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 岡野 王俊

  (株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 水島 一郎

  東芝セミコンダクター社

• 幡野 正之

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  マイクロエレクトロニクス研

• 山内 淳

  東芝基礎研

• 金村 貴永

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 古賀 淳二

  東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 須黒 恭一

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 外園 明

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 親松 尚人

  (株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 吉田 毅

  九州大学医学部附属病院放射線科

• 灘原 壮一

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部

• 斉藤 芳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 石丸 一成

  (株)東芝セミコンダクター社

• 松下 貴哉

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 山田 敬

  (株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 井納 和美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 勝又 康弘

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 石内 秀美

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 矢橋 勝典

  プロセス技術推進センター

• 森 伸二

  プロセス技術推進センター

• 水島 一郎

  プロセス技術推進センター

• 山田 誠司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部

• 大村 光弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 勝又 康弘

  東芝セミコンダクター社

• 山田 敬

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 高橋 一美

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 親松 尚人

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 永野 元

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 新田 伸一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 北城 岳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 国分 弘一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 安本 佳緒里

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 松原 義徳

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉田 毅

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 灘原 壮一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 吉見 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 幡野 正之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 竹中 圭一

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 石行 一貴

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 平野 智之

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 井田 和彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 山内 淳

  東芝 基礎研

• 青木 伸俊

  東芝マイクロエレクトロニクス研

• 水島 一郎

  東芝マイクロエレクトロニクス研

• 吉田 毅

  広島大学先端物質科学研究科

• 金村 貴永

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 楠 直樹

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 木下 敦寛

  東芝研究開発センター

• 金子 明生

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 大村 光広

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 岡野 王俊

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 泉田 貴士

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 稲葉 聡

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 石丸 一成

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 豊島 義明

  東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 江口 和弘

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 木下 敦寛

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 古賀 淳二

  東芝 研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 石田 芳也

  北見赤十字病院耳鼻咽喉科・頭頸部外科

• 大野 圭一

  ソニー株式会社コンスーマプロダクツ&デバイスグループ半導体事業本部セミコンダクタテクノロジー開発部門

• 安武 信昭

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 諸岡 哲

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 岡野 王俊

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 東 篤志

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 須黒 恭一

  (株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター

• 斎藤 正樹

  ソニー(株)

• 宮島 秀史

  (株)東芝セミコンダクター社

• 近藤 正樹

  (株)東芝 セミコンダクター社soc研究開発センター

• 稲葉 聡

  (株)東芝セミコンダクター社

• 山崎 博之

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 松本 拓治

  三菱電機株式会社ULSI技術開発センター

• 松本 拓治

  ソニー株式会社

• 東 篤志

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 石田 達也

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 泉田 貴士

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 伊藤 早苗

  (株)半導体先端テクノロジーズ第二研究部

• 川中 繁

  セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝

• 太田 和伸

  ソニー株式会社

• 大石 周

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 福井 大伸

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 岩井 正明

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 松岡 史倫

  東芝セミコンダクター社システムLSI事業部

• 佐貫 朋也

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 岡山 康則

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 菰田 泰生

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 横山 孝司

  ソニー株式会社

• 竹川 陽一

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 深作 克彦

  ソニー株式会社

• 猪熊 英幹

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 岩佐 誠一

  (株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター

• 岩井 正明

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 長島 直樹

  ソニー株式会社

• 松岡 史倫

  (株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部

• 大石 周

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部

• 藤井 修

  (株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部

• 猪熊 英幹

  プロセス技術推進センター

• 江田 健太郎

  プロセス技術推進センター

• 伊高 利昭

  プロセス技術推進センター

• 宮島 秀史

  プロセス技術推進センター

• 岩佐 誠一

  プロセス技術推進センター

• 山崎 博之

  プロセス技術推進センター

• 松尾 浩司

  プロセス技術推進センター

• 清水 敬

  プロセス技術推進センター

• 宮野 清孝

  プロセス技術推進センター

• 鈴木 隆志

  プロセス技術推進センター

• 堀内 淳

  ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部

• 佐喜 和朗

  プロセス技術推進センター

• 斎藤 正樹

  ソニー株式会社半導体事業グループセミコンダクタテクノロジー開発本部

• 張 利

  (株)東芝研究開発センター

• 楠 直樹

  システムLSIデバイス技術開発部

• 川中 繁

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 東 篤志

  東芝セミコンダクター社

• 石内 秀美

  (株)東芝

• 大野 圭一

  ソニー株式会社

• 犬宮 誠治

  株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 綱島 祥隆

  株式会社 東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 福井 大伸

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 高柳 万里子

  株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター

• 新居 英明

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 林 久貴

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 青木 伸俊

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 大黒 達也

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 井納 和美

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 水島 一郎

  株式会社 東芝セミコンダクター社

• 山内 淳

  (株)東芝研究開発センター

• 伊藤 早苗

  株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター

• 川崎 博久

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 金子 明生

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 八木下 淳史

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 伊藤 早苗

  (株)東芝 セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 小野 高稔

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 矢橋 勝典

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 岩出 健次

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 窪田 壮男

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 犬宮 誠治

  (株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター

• 伊高 利昭

  (株)東芝セミコンダクター社

• 齋藤 真澄

  東芝研究開発センター

• 青木 伸俊

  東芝ULSI研

• 水島 一郎

  東芝ULSI研

• 須黒 恭一

  (株)東芝

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著作論文

• 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• 32nm世代以降に向けた高性能Two-step Recessed SiGe-S/D構造pMOSFET(シリコン関連材料の作製と評価)
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
• プラズマ窒化プロセスを用いた極薄ゲート絶縁膜形成における反応メカニズムの考察とさらなる薄膜化の検討
• ESS技術を用いたSON-MOSFETの作成
• シリコンの表面マイグレーションを利用した新しい基板エンジニアリング 〜ESS(Empty Space in Siliton) による大面積 SON(Silicon on Nothing)の形成〜
• シリコンの表面マイグレーションを利用した大面積SON(Silicon on Noting)の形成
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD-2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• 26aYL-3 第一原理計算によるSi結晶中のB_2クラスターの振動モード解析
• 31a-ZA-13 Si中の不純物による共鳴振動モードの第一原理的研究
• SCM測定のシミュレーション解析
• 8a-S-10 第一原理計算によるSi中のBクラスターのRaman及びIRスペクトルの研究
• 31a-E-2 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究III
• 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究II
• バルクシリコン基板上に形成したゲート長20nm、フィン幅6nmのCMOS FinFETのプロセスインテグレーション技術とデバイス特性(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
• サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
• 不純物偏析Schottkyソース/ドレインを用いた高性能FinFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 不純物偏析 Schottky ソース/ドレインを用いた高性能FinFET
• SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
• SON-MOSFETの作製とULSIへの応用
• ED2000-131 / SDM2000-113 / ICD2000-67 シリコンの表面マイグレーションを用いたSON(Silicon on Nothing)構造の形成技術
• SCM測定のシミュレーション解析
• SCM測定のシミュレーション解析
• SCM測定のシミュレーション解析
• 3a-M-9 第一原理計算によるSi中のB_クラスターの研究
• サブ100nm向けエレベートソース・ドレイン構造の設計指針
• 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 28pRF-3 Siへの高濃度Bドーピング : 実験からのアプローチ(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 28pRF-3 Siへの高濃度Bドーピング : 実験からのアプローチ(28pRF 領域10,領域4,領域8合同シンポジウム:高濃度ドープへの挑戦とそれに伴う格子欠陥の解決,領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
• 走査型拡がり抵抗顕微鏡(SSRM)を用いたソース・ドレインにおける高分解能イメージング及び高精度プロービング解析

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