SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
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概要
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従来のインラインプロセスを用いて完成度の高いSOI/Bulkハイブリッド基板を形成する新しい手法を提案する。ハイブリッド基板は、SOI基板領域とバルクSi基板領域を兼ね備えるため、DRAMセルなどのバルクデバイスを高性能SOIロジックに混載することが可能となる。ハイブリッド基板構造は、SOI基板上のSOI/BOX領域を部分的にエッチング除去し、露出したSi支持基板領域上に従来のSEGプロセスによるSiを成長させて実現した。このハイブリッド基板上に180nmのCMOSプロセスと共に混載したDRAMの電気的特性は、バルク基板上と遜色無い特性を示した。高生産性でSOIヘのDRAM混載を実現できる本技術は、高性能SoCとして魅力的なソルーションである。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-08-15
著者
-
石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
-
吉田 毅
九州大学医学部附属病院放射線科
-
灘原 壮一
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
-
斉藤 芳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
-
佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
-
山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
永野 元
プロセス技術推進センター
-
山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
山田 敬
株式会社東芝セミコンダクター社
-
高橋 一美
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
-
親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
永野 元
株式会社東芝セミコンダクター社
-
佐藤 力
株式会社東芝セミコンダクター社
-
新田 伸一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
北城 岳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
国分 弘一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
安本 佳緒里
株式会社東芝セミコンダクター社
-
松原 義徳
株式会社東芝セミコンダクター社
-
吉田 毅
株式会社東芝セミコンダクター社
-
灘原 壮一
株式会社東芝セミコンダクター社
-
吉見 信
株式会社東芝セミコンダクター社
-
吉田 毅
広島大学先端物質科学研究科
-
綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
-
吉田 毅
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
北城 岳彦
(株)東芝セミコンダクター社
-
松原 義徳
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
-
吉田 毅
産業医科大学泌尿器科学教室
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
-
吉田 毅
株式会社東芝
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