吉見 信 | 東芝 Soc研開セ
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概要
関連著者
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吉見 信
東芝 Soc研開セ
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吉見 信
SOITEC Asia
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吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
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山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
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篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
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渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
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川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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布施 常明
東芝セミコンダクター社
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渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
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篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
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大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
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大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
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大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
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大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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石内 秀美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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石内 秀美
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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鴨志田 昌弘
(株)東芝SoC研究開発センター
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鴨志田 昌弘
株式会社東芝セミコンダクター社
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太田 雅子
東芝セミコンダクター社
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井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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太田 雅子
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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鴨志田 昌弘
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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真鍋 宗平
(株)東芝 ULSI研究所
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吉田 尊
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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吉田 晋一
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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松原 玄宗
(株)東芝研究開発センターマイクロエレクトロニクス技術研究所
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真鍋 宗平
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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松原 玄宗
(株)東芝システムlsi技術研究所
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松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
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石内 秀美
(株)東芝
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吉見 信
株式会社東芝セミコンダクター社
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吉見 信
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉見 信
東芝ULSI研究所
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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松澤 一也
東芝 研究開発センター
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松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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吉見 信
株式会社東芝 セミコンダクター社 Soc研究開発センター 高性能cmosデバイス技術開発部
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榎本 忠儀
中央大学 大学院 理工学研究科 情報工学専攻
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吉田 晋一
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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親松 尚人
(株)東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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道関 隆国
NTTマイクロシステムインテグレーション研究所
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佐藤 力
株式会社 東芝セミコンダクター社
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有本 和民
ルネサステクノロジ
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吉田 毅
九州大学医学部附属病院放射線科
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榎本 忠儀
中央大学理工学部
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灘原 壮一
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体プロセス開発第四部
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松澤 昭
松下電器産業(株)
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斉藤 芳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ 先端デバイス開発部
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一法師 隆志
ルネサステクノロジ
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
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勝又 康弘
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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石内 秀美
株式会社東芝セミコンダクター社 SoC研究開発センター
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山岡 雅直
日立製作所・中央研究所
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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山田 誠司
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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永野 元
プロセス技術推進センター
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山田 誠司
株式会社東芝 セミコンダクター社 システムLSI事業部
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宮崎 祐行
日立製作所中央研究所
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綱島 祥隆
株式会社東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
株式会社東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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山田 敬
株式会社東芝セミコンダクター社
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高橋 一美
東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
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親松 尚人
株式会社東芝セミコンダクター社
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永野 元
株式会社東芝セミコンダクター社
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佐藤 力
株式会社東芝セミコンダクター社
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新田 伸一
株式会社東芝セミコンダクター社
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北城 岳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
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国分 弘一
株式会社東芝セミコンダクター社
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安本 佳緒里
株式会社東芝セミコンダクター社
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松原 義徳
株式会社東芝セミコンダクター社
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吉田 毅
株式会社東芝セミコンダクター社
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灘原 壮一
株式会社東芝セミコンダクター社
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道関 隆国
Ntt マイクロシステムインテグレーション研
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阪田 健
日立製作所中央研究所
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吉田 毅
広島大学先端物質科学研究科
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宮崎 祐行
日立
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高田 英裕
三菱電機株式会社システムLSI事業化推進センタ
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綱島 祥隆
東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター
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松澤 昭
松下電器産業
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阪田 健
日立
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榎本 忠儀
中央大学 理工学部
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西山 彰
(株)東芝研究開発センター
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吉田 毅
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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榎本 忠儀
中央大学理工学研究所
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榎本 忠儀
中央大学理工学部 情報工学科
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北城 岳彦
(株)東芝セミコンダクター社
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松原 義徳
(株)東芝セミコンダクター社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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井田 次郎
沖電気工業株式会社
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吉田 毅
産業医科大学泌尿器科学教室
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道関 隆国
Ntt
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三木 和彦
東芝
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高田 英裕
三菱電機
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山岡 雅直
日立製作所中央研究所
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山岡 雅直
(株)日立製作所中央研究所
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松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
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執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
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井田 次郎
沖電気研究本部デバイス研究開発部
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有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
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水島 一郎
東芝セミコンダクター社 プロセス技術推進セ
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井田 次郎
沖電気
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南 良博
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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吉田 毅
株式会社東芝
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山岡 雅直
日立製作所 中央研究所
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西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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榎本 忠儀
中央大学大学院理工学研究科情報工学専攻
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センター
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前川 繁登
三菱電機株式会社LSI研究所
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渡辺 重佳
株式会社東芝研究開発センターulsi研究所
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前川 繁登
ルネサス
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土屋 敏章
島根大学 総合理工学部
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間 博顕
株式会社東芝
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科
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森田 瑞穂
大阪大学大学院工学研究科精密科学・応用物理学専攻
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渡辺 重佳
東芝研究開発センター
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山田 敬
東芝研究開発センター
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川中 繁
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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恩賀 伸二
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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岡田 多佳子
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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篠 智彰
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
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吉岡 晋一
(株)東芝
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寺内 衛
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
西山 彰
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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水野 智久
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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間 博顕
東芝ULSI研究所
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高橋 稔
東芝ULSI研究所
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神林 茂
東芝ULSI研究所
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剣持 雅人
東芝ULSI研究所
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竹野 史郎
(株)東芝 研究開発センター
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吉見 信
UCS SOI・エピ技術委員会
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前川 繁登
UCS SOI・エピ技術委員会
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土屋 敏章
UCS SOI・エピ技術委員会
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森田 瑞穂
UCS SOI・エピ技術委員会
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出水 清史
UCS SOI・エピ技術委員会
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大見 忠弘
UCS SOI・エピ技術委員会
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神林 茂
(株)東芝 研究開発センター
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剣持 雅人
東芝
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井納 和美
東芝 システムLSI開発センター
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勝又 康弘
東芝 システムLSI開発センター
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吉見 信
東芝 システムLSI開発センター
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石内 秀美
東芝 システムLSI開発センター
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鈴木 健
(株)東芝 ソフトウェアプロダクト部
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土屋 敏章
島根大学総合理工学部電子制御システム工学科
-
竹野 史郎
東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
出水 清史
Ucs Soi・エピ技術委員会:(株) 信越半導体半導体磯部研究所
-
竹野 史郎
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
渡辺 重佳
株式会社東芝 先端半導体デバイス研究所
-
鈴木 健
(株)東芝研究開発センター環境技術研究所
-
川中 繁
東芝研究開発センターデバイスプロセス開発センター高性能cmosデバイス技術開発部
著作論文
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- ベース抵抗を低減したSOIラテラルBJT
- 自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
- 薄膜SOI素子におけるソース/ドレイン間リーク電流の解析
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V、200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALU
- SOI集積回路に対する基板浮遊効果の影響
- SOI/Bulkハイブリッド基板を用いた高性能SoC実現のためのDRAM混載技術
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- 基板電位制御SOI技術を用いた0.5V, 200MHz動作32ビットALUの設計
- SOI基板材料の品質評価と技術課題
- サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
- サブ100nm時代の低リーク・低電力技術(パネルディスカッション)
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- SOIを用いた0.5V動作CMOSロジックの設計法
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- サブ50nm時代の切り札SOI : SOIがBulkに勝てる技術はこれだ!(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- アルゴンイオン注入のSOI-NMOSFET特性に対する影響
- チャネル長0.1μmSOI MOSFETにおけるself-heatingの影響考察
- 通信用LSIへのSOI技術の応用 : fmax 67GHz SOI 横型バイポーラトランジスタ技術
- ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
- SiGeソース構造によるSOI MOSFET基板浮遊効果の抑制 : SiGe構造パラメータ依存性
- 1)電子線アニール技術を用いた三次元イメージプロセッサの試作と評価(テレビジョン電子装置研究会)