ソースにSiGe領域を形成したSOI・MOSFETにおけるドレイン破壊電圧改善のシミュレーション解析
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概要
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SOI・MOSFETの基板浮遊効果対策として、これまで提案された基板コンタクト法、ソース・タイ法などは、面積が増大すること、チャネル幅に制限があることなど実用上の問題があった。我々はSiGe層をソースに形成するバンドギャップエンジニアリング法を提案しているが、ここでは二次元シミュレ-ションを用いて解析を行い、最適構造と機構の考察を行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
寺内 衛
東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
寺内 衛
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
西山 彰
(株)東芝研究開発センター
-
有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
松澤 一也
東芝 研究開発センター
-
松澤 一也
(株)東芝 ULSI研究所
-
執行 直之
(株)東芝 ULSI研究所
-
有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
西山 彰
(株)東芝 研究開発センター
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