フラッシュランプを用いた新しいPZT膜結晶化技術
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概要
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フラッシュランプを用いた新しい強誘電体キャパシタの成膜方法を開発した。基板加熱温度350℃で、Xeフラッシュランプ光パルス(1.2msec.)をアモルファスPZT膜に照射すると、ペロブスカイト相に結晶化することができる。大照射エネルギー(27J/cm^2)の光パルスが、基板方向への熱拡散を抑制し、Al多層配線上のPZT膜結晶化も可能とする。また、SiO_2上のアモルファスPZT膜でも、下地基板と反応することなく結晶化できる。本プロセスではPt、Ru、RuO_2などの各種基板上で粒状のPZT膜構造が得られ、膜の表面から結晶化が進行することが予想された。Ru上部電極を用いることで最高温度350℃のプロセスでPZT膜を形成し、ヒステリシス特性を確認した。フラッシュランプによる超高速加熱法は強誘電体膜結晶化に応用可能であり、FeRAM混載LSIや1トランジスタ型FeRAMに有効であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-03-07
著者
-
山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社
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山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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吉岡 正樹
ウシオ電機株式会社
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今井 馨太郎
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
有隅 修
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
有門 経敏
(株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
大和田 樹志
ウシオ電機(株)ランプ技術本部
-
奥村 勝弥
東京大学先端科学技術研究センター
-
山川 晃司
(株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター
-
有隅 修
(株)東芝 Ulsi研究所
-
今井 馨太郎
東北大学
-
今井 馨太郎
(株)東芝、研究開発センター、ulsi研究所
-
吉岡 正樹
ウシオ電機(株)ランプ技術本部
-
有門 経敏
(株)東芝
-
吉岡 正樹
ウシオ電機
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