Chain FeRAM技術概要とScalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術(新材料メモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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本論文では、高密度化/高速化/高バンド幅化が可能なChain FeRAM^<TM>技術の概要と、Scalingに適したShield-Bitline-Overdrive技術について述べる。提案するOverdrive技術は、微細化、低電圧化で顕在化するセル信号バラツキ起因の信号劣化やノイズを大幅に改善する。1.3V動作でTail-to-Tailのセル読出し信号量が90mVから180mVの2倍に増加した。
- 2010-04-15
著者
-
宮川 正
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社
-
尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
-
金谷 宏行
(株)東芝セミコンダクター社
-
國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社
-
首藤 晋
(株)東芝セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
宮川 正
(株)東芝セミコンダクター社
-
滋賀 秀裕
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
橋本 大輔
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
山川 晃司
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
山川 晃司
(株)東芝 京浜事業所材料部品開発・試作センター
-
金谷 宏行
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
国島 巌
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
-
國島 巌
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
國島 巌
(株)東芝ulsi研究所
-
宮川 正
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
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