大容量・高バンド幅DRAMを実現する電源ノイズ低減法
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概要
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DRAMの超高密度, 超高バンド幅化に伴って, 寄生インダクタンス起因の電源ノイズ (逆相, 同相ノイズ) が深刻な問題となってきた. 本論文では, 第1に, LSI内部の消費電流ピークにもかかわらず, 外部電源Pinの電流をほぼ一定に保つ事が出来る「定電流降圧回路」を提案している. 逆相電源ノイズを1/5に低減出来る. 第2に, 出力データを部分的に反転することにより, 同相ノイズを1/4〜1/8に低減出来る「部分反転データBUS方式」を提案している. 16〜32GB/sの超高バンド幅を実現出来る.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-08-22
著者
-
大脇 幸人
(株)東芝 ULSI研究所
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社
-
大脇 幸人
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター&ストレージ社半導体研究開発センター
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