Chain FeRAM技術と将来展望(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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連鎖型強誘電体メモリ(chain FeRAM^[○!R])は、高密度/高速/低消費電力化が可能な新規メモリとして有望である。本論文では、概要と動作原理、16Kb/8Mb/32Mb/64Mbのメモリ開発から、Chipに搭載した微細化・高集積化を実現するセル/アレイ技術、Dummy Cell技術、高信頼性技術、デバイス技術を述べ、最後にセルトレンドと将来のGb級実現に向けたScalingシナリオに関して論述する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-04-06
著者
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