NAND型セルを用いた256Mb DRAM
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概要
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0.4umCMOS技術を用いて0.962um2のセル面積ができるNAND型構造のセルを用いたブロックアクセス型256MbDRAMを試作した。時分割多重センスアンプという新しいセンスアンプ回路と開放型ビット線構成により、従来の汎用DRAMより32%チップ面積が小さい464mm2のチップ面積を実現した。ブロックサイズは512バイト。DRAMセルを用いた一時記憶セルと入出力用レジスタにより、112nsのブロックアクセス時間と30nsのサイクル時間を達成した。
- 1993-05-27
著者
-
白武 慎一郎
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
荻原 隆
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
太田 雅子
東芝セミコンダクター社
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
白武 慎一郎
東芝研究開発センター
-
高島 大三郎
東芝研究開発センター
-
長谷川 武裕
東芝研究開発センター
-
大脇 幸人
東芝研究開発センター
-
渡辺 重佳
東芝研究開発センター
-
荻原 隆
東芝研究開発センター
-
太田 雅子
東芝研究開発センター
-
浜本 毅司
東芝研究開発センター
-
山田 敬
東芝研究開発センター
-
青木 正身
東芝研究開発センター
-
石橋 茂
東芝研究開発センター
-
舛岡 富士雄
東芝研究開発センター
-
舛岡 富士雄
東芝研究開発センタ
-
大脇 幸人
(株)東芝soc研究開発センター
-
大脇 幸人
(株)東芝 セミコンダクター社
-
高島 大三郎
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
石橋 茂
東芝
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