セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術
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概要
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基板プレートトレンチ型DRAMで6F2セル配置を用いることによって、0.20μmルールで最小の0.29μm^2のセル面積を実現した。また、選択エピタキシャル成長を用いて、セルトランジスタゲート電極とトレンチキャパシタの開口との距離を0.1μmに縮小できる接続電極(ストラップ)形成技術を開発した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-22
著者
-
加藤 善光
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
-
尾崎 徹
(株)東芝セミコンダクター社
-
浜本 毅司
(株)東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
野口 充宏
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
土生 真理子
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
新山 広美
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
中杉 哲郎
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
柴田 透
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
斉藤 芳彦
株式会社東芝セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
渡辺 重佳
湘南工科大学情報工学科
-
滝上 裕二
(株)東芝 ULSI研究所
-
都鹿野 健一
(株)東芝 ULSI研究所
-
斉藤 芳彦
(株)東芝 ULSI研究所
-
星 忠秀
(株)東芝 ULSI研究所
-
加藤 善光
(株)東芝 Ulsi研究所
-
土生 真理子
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
青木 正身
(株)東芝マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
野口 充宏
(株)東芝 セミコンダクター社
-
中杉 哲郎
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター
-
野口 充宏
(株)東芝セミコンダクター社
-
野口 充宏
株式会社東芝セミコンダクター社
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