配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの設計法
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概要
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配線の信頼性を考慮したギガビットDRAMの新しい設計法を提案した.DRAMをギガビットレベルまで大容量化すると, 1ALで配線したワード線および電源線の信頼性が新たに問題になる.特にワード線に関しては, 配線の信頼性だけでなく, 信頼性に関する歩留りが256Mビットレベルで問題となる.この問題を解決するためには, ワード線には従来の1ALのシャント方式の代わりに2ALのグローバルワード線方式が, 電源線には複数の電源パッドを設けそれと電源線との接続を時分割して切り換える"双方向電源線方式"が有効である.これらの方式を導入すると16ギガビットレベルまで信頼性の問題はなくなる.ギガビットレベルのDRAMでは, ロジックLSI同様に配線の信頼性を定量的に考慮した設計手法が必須となる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-25
著者
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
大内 和則
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
大内 和則
(株)東芝研究開発センター先端半導体デバイス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
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