自己整合外部ベース形成技術を用いた横型SOIバイポーラ素子
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概要
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今後の通信用LSIにおいて必須の課題となっている低消費電力化と低コスト化を実現でき、高周波特性の優れた横型SOIバイポーラ素子のデバイス構造およびブロセス技術について述べ、その試作結果を示す。新たに開発した自己整合外部べース形成ブロセスにより、試作素子のべース抵抗は従来の横型SOIバイポーラ素子に比ベ著しく低減され、これまで最高の31GHzの最大発振周波数を得た。薄膜SOI素子のため微細化と寄生容量の低減を簡単なプロセスで実現でき、バルクのバイポーラ素子に比ベ消費電力は一桁以上低く、製造工程数は四割削減することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-03-10
著者
-
勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
-
布施 常明
(株)東芝 ULSI研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝技術企画室
-
松永 準一
(株)東芝 研究開発センター ULSI研究所
-
篠 智彰
(株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所
-
渡辺 重佳
(株)東芝 セミコンダクター社
-
井納 和美
(株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター
-
山田 敬
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
川中 繁
株式会社東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
新居 英明
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
勝又 康弘
東芝セミコンダクター社
-
吉見 信
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社半導体研究開発センター
-
吉見 信
SOITEC Asia
-
川中 繁
東芝 システムLSI開発センター
-
布施 常明
東芝セミコンダクター社
-
松永 準一
(株)東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
吉見 信
東芝 Soc研開セ
-
渡辺 重佳
(株)東芝 Ulsi研究所
-
篠 智彰
(株)東芝セミコンダクター社soc研究開発センター
-
山田 敬
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
-
篠 智彰
(株)東芝 研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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