22nm世代システムLSIに向けたhigh-k/メタルゲートデバイス技術
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概要
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- 2009-07-09
著者
-
後藤 正和
筑波大学電子・物理工学専攻
-
後藤 正和
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
後藤 正和
徳島大学外科
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川中 繁
セミコンダクター社半導体研究開発センター株式会社東芝
-
川中 繁
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
犬宮 誠治
(株)東芝セミコンダクター社 プロセス技術開発センター
-
中嶋 一明
(株)東芝
-
中嶋 一明
東芝
-
中嶋 一明
東芝 セミコンダクター社
-
後藤 正和
(株)東芝セミコンダクター社
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センター
-
犬宮 誠治
東芝
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
-
後藤 正和
東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発セ
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後藤 正和
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
-
辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
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