ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
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概要
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トランジスタゲット絶縁膜におけるランダム・テレグラフ・ノイズについて系統的な研究を行った.観測したRTNデータから、電子欠陥と正孔欠陥共に、ニュートラル欠陥とアトラクティブ欠陥を分離でき、それぞれの位置及びエネルギーの分布が得られた。アトラクティブ欠陥のエネルギーに比べて、ニュートラル欠陥のエネルギーの分布は約100meV程度高く、かつ閾値電圧シフトに与える影響が大きいことが分かった。さらに、ニュートラル欠陥とアトラクティブ欠陥との差別について物理機構の議論を行った。
- 2012-11-08
著者
-
三谷 祐一郎
東芝
-
三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
-
平野 泉
(株)東芝研究開発センター
-
辰村 光介
研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー株式会社東芝
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辰村 光介
(株)東芝 研究開発センター
-
平野 泉
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
辰村 光介
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
陳 杰智
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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