極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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負バイアス温度不安定性(Negative Bias Temperature Instability : NBTI)は、PチャネルMOSFETのオン時に閾値がシフトしてしまう現象であり、極薄ゲート絶縁膜の信頼性にとって大きな課題となっている。さらに、このNBTIはオフ時に回復する現象を伴っており、信頼性評価や寿命推定を難しくしている。NBTIはゲート酸化膜界面を終端している水素と密接な関係があることが知られているが、詳細な劣化および回復のメカニズムはまだ十分に明らかにされていない。本研究では、NBTIの特に回復現象に着目し、負バイアスと正バイアス印加を交互に行い、閾値および界面準位密度の変化を調べることで、NBTIとその回復のメカニズムについて考察した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-15
著者
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佐竹 秀喜
(株)東芝先端半導体デバイス研究所
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三谷 祐一郎
東芝
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三谷 祐一郎
(株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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佐竹 秀喜
(株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー
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三谷 祐一郎
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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