佐竹 秀喜 | (株)東芝先端半導体デバイス研究所

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概要

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• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 鳥海 明

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  東芝

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 三谷 祐一郎

  (株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー

• 山口 豪

  (株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• 山口 豪

  (株)東芝 研究開発センター

• 高柳 万里子

  (株)東芝セミコンダクター社SoC研究開発センター

• 安田 直樹

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 綱島 祥隆

  (株)東芝 セミコンダクター社

• 江口 和弘

  (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 安田 直樹

  (株)東芝 ULSI研究所

• 島海 明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 綱島 祥隆

  東芝 セミコンダクター社 プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  (株)東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター

• 関根 克行

  東芝 セミコンダクター社

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 平野 泉

  (株)東芝研究開発センター

• 江口 和弘

  半導体理工学センター(STARC)

• 江口 和弘

  (株)東芝

• 綱島 祥隆

  (株)東芝

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著作論文

• シリコン酸化膜の絶縁破壊に対する電子と正孔の共存の必要性実証
• 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
• HfSiO(N)膜の欠陥生成と絶縁破壊機構(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 極薄ゲート絶縁膜のNBTIに及ぼす窒素と水素の影響(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Hf-シリケート高誘電体ゲート絶縁膜の絶縁破壊機構
• 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
• 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
• 極薄ゲート絶縁膜における負バイアス温度不安定性とその回復現象(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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