安田 直樹 | 半導体MIRAI-ASET

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概要

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関連著者

• 安田 直樹

  半導体MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岡田 健治

  半導体MIRAI-ASET

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 堀川 剛

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• Okada K

  Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn

• 岡田 健治

  松下電器産業(株)

• 水林 亘

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 右田 真司

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 平野 晃人

  半導体MIRAI-ASET

• 渡邉 幸宗

  半導体MIRAI-ASET

• 秋山 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 富永 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 久松 裕和

  半導体MIRAI-ASET

• 高木 信一

  東京大学大学院 工学系研究科

• 高木 信一

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 鳥海 明

  (株)東芝 LSI基盤技術ラボラトリー

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝先端半導体デバイス研究所

• 高木 信一

  東芝ULSI研究所

• 安田 直樹

  東芝ULSI研究所

• 鳥海 明

  東芝ULSI研究所

• 安田 直樹

  (株)東芝 ULSI研究所

• 島海 明

  (株)東芝 ULSI研究所

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 高木 信一

  東芝ulsi研

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 佐竹 秀喜

  (株)東芝 研究開発センター Lsi基盤技術ラボラトリー

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  半導体mirai-産総研asrc

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

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著作論文

• High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
• LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
• Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源

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