太田 裕之 | 産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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概要
関連著者
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
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鳥海 明
東京大学
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
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生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
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高橋 正志
半導体mirai-aset
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水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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小川 有人
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
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佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
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水林 亘
産業技術総合研究所
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水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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右田 真司
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
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門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
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森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
半導体mirai-産総研asrc
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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藤原 英明
Mirai-aset
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森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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平野 晃人
半導体MIRAI-ASET
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渡邉 幸宗
半導体MIRAI-ASET
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岡田 健治
半導体MIRAI-ASET
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門島 勝
MIRAI-ASET
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小川 有人
MIRAI-ASET
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高橋 正志
MIRAI-ASET
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太田 裕之
MIRAI-産総研ASRC
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三瀬 信行
MIRAI-ASET
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岩本 邦彦
MIRAI-ASET
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右田 真司
MIRAI-産総研ASRC
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佐竹 秀喜
MIRAI-ASET
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生田目 俊秀
MIRAI-ASET
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鳥海 明
MIRAI-産総研ASRC
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堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
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右田 真司
産業技術総合研究所
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熊 四輩
産業技術総合研究所
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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垂井 康夫
産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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右田 真司
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
日本プレシジョンサーキッツ(株)
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熊 四輩
電子技術総合研究所
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太田 裕之
電子技術総合研究所
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垂井 康夫
電子技術総合研究所
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酒井 滋樹
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社
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Okada K
Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn
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岡田 健治
松下電器産業(株)
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森田 行則
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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森田 行則
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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森田 行則
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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田岡 紀之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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上牟田 雄一
半導体MIRAI-ASET
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科
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秋山 浩二
半導体MIRAI-ASET
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鳥海 明
東京大学大学院
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富永 浩二
半導体MIRAI-ASET
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安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
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久松 裕和
半導体MIRAI-ASET
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坂巻 和男
産業技術総合研究所
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田岡 紀之
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)
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高木 信一
東京大学
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
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鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
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森田 行則
産業技術総合研究所
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高木 信一
半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科
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布重 裕
芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc
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布重 裕
芝浦工業大学大学院 工学研究科
著作論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
- LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
- パーティクルフリー分子線エピタキシー成長とデバイス作製技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- Bi自己停止作用を利用したBSCCO超電導体の原子層制御分子線エピタキシー (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性