鳥海 明 | MIRAI-産総研ASRC

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概要

• 同名の論文著者
• MIRAI-産総研ASRCの論文著者

関連著者

• 高橋 正志

  半導体mirai-aset

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 藤原 英明

  Mirai-aset

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 小川 有人

  半導体MIRAI-ASET

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 門島 勝

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 門島 勝

  MIRAI-ASET

• 小川 有人

  MIRAI-ASET

• 高橋 正志

  MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  MIRAI-産総研ASRC

• 三瀬 信行

  MIRAI-ASET

• 岩本 邦彦

  MIRAI-ASET

• 右田 真司

  MIRAI-産総研ASRC

• 佐竹 秀喜

  MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  MIRAI-産総研ASRC

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 鳥海 明

  東京大学

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

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著作論文

• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))

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