酒井 滋樹 | 電子技術総合研究所
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概要
関連著者
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酒井 滋樹
電子技術総合研究所
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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熊 四輩
産業技術総合研究所
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垂井 康夫
産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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右田 真司
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
日本プレシジョンサーキッツ(株)
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熊 四輩
電子技術総合研究所
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太田 裕之
電子技術総合研究所
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垂井 康夫
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
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右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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黒田 光太郎
名古屋大学工学部
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右田 真司
産業技術総合研究所
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坂巻 和男
産業技術総合研究所
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太田 裕之
産業技術総合研究所
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黒田 光太郎
名古屋大学大学院工学研究科
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松畑 洋文
電子技術総合研究所
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河西 勇二
電子技術総合研究所
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Bodin Peter
電子技術総合研究所
著作論文
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- 28a-S-5 MBE成長Bi-Sr-Ca-Cu-O/LaAlO_3の微細構造