原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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平面型トランジスタの微細化限界を打破するデバイス構造として,シリコンナノワイヤトランジスタが注目を集めている.このトランジスタを実用化する上での最大の課題は,デバイス構造の各部を1nm以下の高精度で製作する要素技術の確立である.我々は原子スケールの構造制御技術の確立を目標に,シリコンナノワイヤの整形加工技術ならびに低抵抗ソース・ドレイン形成技術の研究開発を行なっている.酸素エッチング法は酸素を用いてSi表面を原子層エッチングする方法であり,シリコンナノワイヤの高精度な細線化に実用できることを確認した.Si結晶との格子整合に優れたNiSi_2のエピタキシャル膜を低温合成する方法を開発し,これをメタルソース・ドレイン構造として適用したトランジスタの性能を評価した.開発したこれらの技術は科学的根拠に基づいており,将来のVLSI製造技術としての十分な可能性を有している.
- 2010-06-15
著者
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右田 真司
産業技術総合研究所
-
太田 裕之
産業技術総合研究所
-
森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
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森田 行則
産業技術総合研究所
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