Ge窒化膜を界面層とするHfO_2/Ge MIS構造の特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Ge MIS構造での界面層として、Ge窒化膜について検討を行った。Ge窒化膜を界面層に有した場合と無い場合でAu/HfO_2/Ge MIS構造を作製し、その界面特性の比較を行った。Ge窒化膜を界面層が無い場合では、界面にGe酸化膜が形成され、その最低界面準位密度は1.8×10^<11>cm^<-2>・eV^<-1>が得られた。一方、Ge窒化層/Ge界面における最低界面準位密度もFGA処理後には1.8×10^<11>cm^<-2>・eV^<-1>と酸化膜界面層と同等の低い値が得られることが明らかとなった。また、Ge窒化膜界面層は、Ge酸化膜界面層と比較して、高温熱処理による容量低下の抑制に効果があることがわかった。以上の結果は、純Ge窒化膜がhigh-k/Geゲートスタック構造に対する界面層として有望であることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-05-31
著者
-
森田 行則
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
高木 信一
東京大学
-
高木 信一
東京大学大学院 工学系研究科
-
前田 辰郎
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
西澤 正泰
半導体MIRAI産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
森田 行則
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
高木 信一
半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)
-
西澤 正泰
半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所 ナノ電子デバイス研究センター
-
森田 行則
半導体mirai産業技術総合研究所次世代半導体研究センター
-
高木 信一
東大 大学院工学系研究科
-
森田 行則
半導体MIRAI-産総研ASRC
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