Hiigh-k/3-5界面の組成・構造とMIS特性との関係 (シリコン材料・デバイス)
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概要
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- 2010-06-22
著者
-
山田 永
住友化学(株)筑波研究所
-
大竹 晃浩
物質・材料研究機構量子ドットセンター
-
竹中 充
東京大学 先端科学技術研究センタ
-
板谷 太郎
産業技術総合研究所
-
安田 哲二
産業技術総合研究所 次世代半導体研究センター
-
高木 信一
東京大学
-
横山 正史
東京大学工学系研究科電子工学専攻
-
宮田 典幸
産業技術総合研究所
-
卜部 友二
産業技術総合研究所
-
石井 裕之
産業技術総合研究所
-
前田 辰郎
産業技術総合研究所
-
福原 昇
住友化学
-
星井 拓也
東京大学
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