2-2 超高速光デバイス基礎技術(2.次世代フォトニックネットワーク(<特集>次世代産業基盤を支えるフェムト秒テクノロジーの動向))
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概要
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次世代の超高速フォトニックネットワーク等の基盤となる,フェムト秒領域で動作するデバイス基礎技術と計測・評価技術について紹介する.超高速デバイス原理に関しては？-V？族半導体サブバンド間遷移を利用した超高速光スイッチ,及び？-V族半導体とポリイミドを用いた光導電スイッチによる超短パルス発生,評価技術に関しては,フェムト秒近接場光学顕微鏡による材料評価,及び超高速レーザ光源のタイミングジッタ計測技術に関する最近の研究成果を紹介する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-08-01
著者
-
秋本 良一
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
渡辺 正信
産業技術総合研究所
-
板谷 太郎
産業技術総合研究所
-
河島 整
産業技術総合研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
秋本 良一
産業技術総合研究所光技術研究部門
-
土田 英実
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
土田 英実
産業技術総合研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所
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