半導体量子井戸中のサブバンド間遷移を利用した超高速光スイッチの開発(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
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概要
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半導体量子井戸中のサブバンド間遷移は、サブバンド間のキャリアの緩和時間がサブピコ秒〜数ピコ秒と短いため1Tbits/s級の超高速光スイッチへの応用が期待されている。我々は、ワイドギャップII-VI族半導体ベースの量子井戸(CdS/ZnSe/BeTe)において通信波長帯のサブバンド遷移を実現し、これをスイッチ活性層とする導波路型デバイスを作製することに成功した。これを利用した超高速全光スイッチの現状について紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-27
著者
-
秋本 良一
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
挾間 寿文
産業技術総合研究所
-
李 炳生
産総研 超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
秋本 良一
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
秋田 一路
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
秋田 一路
産総研 超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
李 炳生
産業技術総合研究所・超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
秋田 一路
産業技術総合研究所・超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
秋本 良一
産業技術総合研究所
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