イオン注入法を用いたサブバンド間遷移超高速全光ゲートスイッチの高性能化(一般,超高速伝送,変復調,分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅,WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,及び一般(ECOC報告))
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概要
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イオン注入による量子井戸混合法を用いて,異なるバンドギャップもつInGaAs/AlAsSb量子井戸光導波路を接続したマイケルソン干渉計型のサブバンド間遷移超高速光ゲートスイッチを作製した.Pイオンを注入後,急速アニールを施すことにより、InGaAs/AlAsSb量子井戸のバンド間遷移による吸収端波長を短波長化できることを確認した.この技術を用いて高効率な全光位相変調部用の光導波路と低損失なパッシブ光導波路を接続した構造をもつ光ゲートスイッチを作製した. 5.6pJの光パルスエネルギーの入力によりπラジアンの位相シフトによるフルスイッチング動作を確認した.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-10-17
著者
-
牛頭 信一郎
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
-
牛頭 信一郎
産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター
-
秋本 良一
産業技術総合研究所
-
物集 照夫
産業技術総合研究所
-
物集 照夫
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
フェン ジジュン
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
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