InGaAs/InAlAs/AlAsSb結合量子井戸サブバンド間遷移を用いた超高速全光型スイッチの開発(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
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概要
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InAlAs中央バリアを用いたInGaAs/AlAsSb結合量子井戸において、全光型位相変調(XPM)が増大した。これより、AlAs中央バリアを用いた従来素子の3倍となる高いXPM効率(0.075rad/pJ)を得ることに成功した。量子レベル解析および赤外吸収スペクトル測定は、XPM効率増大が、サブバンド間遷移に伴ったバンド間吸収の屈折率分散に起因していることを示唆した。このXPM効率の増大により、マッハツェンダー干渉型全光スイッチの高性能化が期待できる。
- 2008-06-20
著者
-
挾間 壽文
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
石川 浩
独立行政法人産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
秋本 良一
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
石川 浩
産業技術総合研究所ネットワークフォトニクス研究センター
-
挾間 寿文
産業技術総合研究所
-
石川 浩
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
物集 照夫
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
下山 峰史
産業技術総合研究所
-
石川 浩
(独)産業技術総合研究所・ネットワークフォトニクス研究センター
-
挾間 壽文
産業技術総合研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所 ネットワークフォトニクス研究センター
-
永瀬 成範
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
コン ガンウェイ
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
Guangwei Cong
産業技術総合研究所
-
NAGASE Masanori
産業技術総合研究所超高速光信号処理デバイス研究ラボ
-
永瀬 成範
産業技術総合研究所
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
-
Cong Guangwei
産業技術総合研究所
-
秋本 良一
産業技術総合研究所
-
物集 照夫
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