反転分布状態にある圧縮歪量子井戸の三次光非線形感受率
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概要
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半導体レーザや半導体光増幅器の四光波混合を用いた波長変換の向上を目的とし、活性層として用いられている圧縮歪InGaAs/InGaAsP量子井戸の三次非線型感受率χ^<(3)>を、理論的及び実験的に無歪量子井戸との比較した。圧縮歪による状態密度の減少が、キャリア密度変調効果とキャリアヒーティング効果を増大させる。また、正孔散乱レートの減少によってホールバーニング効果も増大する。これらの効果の増大の結果、0.8%圧縮歪量子井戸は無歪の3倍のχ^<(3)>を持つことを理論的に示した。さらに、λ/4位相シフトDFBレーザを用いた四光波混合実験による比較においても、圧縮歪の場合が無歪量子井戸に比べて大きなχ^<(3)>を持つことを確認した。
- 1999-07-09
著者
-
鍬塚 治彦
株式会社富士通研究所
-
石川 浩
株式会社富士通研究所
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
鍬塚 治彦
(独)産業技術総合研究所
-
石川 浩
(独)産業技術総合研究所
-
下山 峰史
産業技術総合研究所
-
下山 峰史
株式会社富士通研究所
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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