1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
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概要
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将来の光インタコネクション等への応用を目的に、面発光レーザの開発が活発に行われている。1.3μm帯面発光レーザは、接合電圧が低いためCMOS直接駆動が可能であり、低消費電力動作が期待できる。しかし、従来のInP基板ベースの構造では、活性層で十分な光学利得が得られず、半導体DBRの反射率も不十分となり、実用的な素子の作製は困難である。一方、GaAsとInPの中間の格子定数を持つInGaAs基板を用いれば、InP基板よりも深い量子井戸活性層を形成でき、大きな光学利得が得られる。また、DBRとして、大きな屈折率差の材料が使え、少ないペア数で高反射率を実現できる。今回我々はInGaAs基板上の面発光レーザの解析を行い、その特性を議論した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
小路 元
(株) 富士通研究所
-
小路 元
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
松田 学
RWCP光富士通研究所((株)富士通研究所厚木研究所内)
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
松田 学
株式会社富士通研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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