奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-12-17
著者
関連論文
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- C-4-29 40Gb/s 直接変調動作実現をめざした自己形成量子ドットレーザの設計
- 広帯域半導体光増幅器に向けたlnP上lnAs量子ドットのMOVPE成長(量子ドットの使い道)
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- InGaAs3元基板を用いた1.3μm帯歪量子井戸レーザ
- C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-23 ヒータを用いたSOA利得制御による入出力ダイナミックレンジ拡大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 8:1ch集積型半導体光増幅器ゲートスイッチアレイ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 奨励講演 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 1.3μm帯面発光レーザの特性解析 : InGaAs3元基板の検討
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)