InGaAs3元基板を用いた1.3μm帯歪量子井戸レーザ

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概要

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InGaAs3元基板上歪量子井戸レーザはその深いポテンシャル井戸により、1.3μm帯で従来のInP系レーザに比較して温度特性の大幅な向上が期待できる。In組成0.22のInGaAs基板上に作製した1.2μm帯レーザにおいて、長波長帯レーザの最高特性温度140Kと210℃までのレーザ発振を実現した。作製したレーザの特性温度はしきい値電流密度に強く依存し、その傾向はあるオージェ係数を仮定することにより説明できることを示す。また、In組成0.31のInGaAs基板上に作製したレーザは、目標である1.3μm帯でレーザ発振した。基板の質を向上し、しきい値電流密度を低減することによって1.3μm帯において更なる温度特性の改善が期待できる。InGaAs3元基板の1.3μm帯面発光レーザへの応用についても触れる。
社団法人電子情報通信学会の論文
1999-02-24

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