InGaAs3元基板上低しきい値1.3μmレーザ
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概要
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InGaAs3元基板上歪量子井戸レーザはその深いポテンシャル井戸により、1.3μm帯で従来のInP系レーザに比較して温度特性の大幅な向上と高速変調動作が期待できる。In組成0.31のInGaAs基板上に作製した1.3μm帯レーザにおいて、74A/cm^2/wellの低しきい値電流密度と100K以上の高い特性温度を同じに実現した。また相対強度雑音(RIN)の測定結果より、従来のInP系レーザに比較して大きな微分利得が得られた。しきい値の更なる低減により、InP系レーザでは得られない高い特性温度と大きい微分利得を得ることが可能である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-02-14
著者
-
石川 浩
フェムト秒テクノロジー研究機構
-
倉又 朗人
(株)富士通研究所
-
菅原 充
(株)富士通研究所
-
菅原 充
(株)富士通研究所:富士通(株):(株)qdレーザ:(財)光産業技術振興協会
-
関根 徳彦
(独)情報通信研究機構
-
関根 徳彦
情報通信研究機構
-
関根 徳彦
Rwcp光インターコネクション富士通研究室
-
大坪 孝二
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
西嶋 由人
(株)富士通研究所
-
青木 修
(株)富士通研究所
-
石川 浩
RWCP光インターコネクション富士通研究室
-
倉又 朗人
株式会社富士通研究所
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
石川 浩
産業技術総合研 ネットワークフォトニクス研究セ
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