容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)

概要

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コンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有するInPマッハツェンダ変調器において、近年、進行波電極の導入による高速・低電圧化が検討されている。中でも容量装荷型の進行波電極は、電気信号の伝搬損失が小さく、また、単一の高周波駆動信号によりプッシュプル駆動が可能であるため、我々は有望と考えている。今回我々は、容量装荷型進行波電極をPIN構造のInP系マッハツェンダ変調器に改良して適用する事で、変調器の高速・低電圧動作を実現した。本報告では最初に作製した素子の構造を示した後に、今回我々が素子上で部分的に導入した高抵抗InPクラッド層の高速動作に対する効果について、作製素子の評価により示す。次に、半波長電圧及び変調帯域の電極作用長に対する依存性を、実験により明らかにする。これらの結果から、それぞれ適した作用長の素子を用いる事で実現した駆動電圧1.2V_<pp>の10Gb/s動作、3.0V_<pp>の40Gb/s動作について示す。また、10Gb/sにおける|α|〜0.1の低チャープ動作についても示す。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-10-28