波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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将来の10Gb/s超のイーサネットに代表される超高速伝送に向けて低コスト,低消費電力の光源が求められている.波長1.3μm帯AlGaInAs系歪量子井戸レーザは,そのバンド構造の優位性から高速直接変調光源として有望であり,我々は更に動作電流低減と高速化に有利な短共振器の高抵抗埋め込み(SI-BH)レーザを検討している.今回,SI-BH構造の波長1.3μm帯AlGaInAs系歪量子井戸DFBレーザの25Gb/s,40Gb/s直接変調動作について報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2008-12-05
著者
-
井出 聡
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
江川 満
(株)富士通研究所
-
高田 幹
東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
森 和行
(株)富士通研究所
-
高田 幹
株式会社富士通研究所
-
森 和行
富士通(株)
-
高田 幹
東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所
-
高田 幹
(株)富士通研究所
-
田中 宏昌
富士通(株)
-
大坪 孝二
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
大坪 孝二
富士通研:富士通:光産業技術振興協会
-
松田 学
株式会社富士通研究所
-
井出 聡
富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
松田 学
(株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
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