奥村 滋一 | (株)富士通研究所

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概要

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• 奥村 滋一

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  (株)富士通研究所

• 江川 満

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 松田 学

  株式会社富士通研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  (株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 植竹 理人

  富士通研究所

• 松田 学

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• 山本 剛之

  (株)QDレーザ

• 下山 峰史

  (株)富士通研究所

• 松田 学

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所:富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 大坪 孝二

  富士通研:富士通:光産業技術振興協会

• 下山 峰史

  株式会社富士通研究所

• 山本 剛之

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 植竹 理人

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 松田 学

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所

• 山本 剛之

  技術研究組合光電子融台基盤技術研究所:フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中川 剛二

  富士通株式会社

• 森戸 健

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部

• 田中 信介

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 田中 信介

  富士通研究所

• 下山 峰史

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 苫米地 秀一

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高田 幹

  株式会社富士通研究所

• 高田 幹

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構

• 高林 和雅

  (株)富士通研究所

• 大坪 孝二

  (株)富士通研究所

• 高田 幹

  (株)富士通研究所

• 中川 剛二

  (株)富士通研究所

• 森戸 健

  富士通研

• 大坪 孝二

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 江川 満

  株式会社富士通研究所

• 森戸 健

  富士通株式会社

• 井出 聡

  (株)富士通研究所

• 秋山 傑

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東京大学生産技術研究所:東京大学先端技術研究所

• 田中 有

  技術研究組合 フェムト秒テクノロジー研究機構

• 大坪 孝二

  (財)光産業技術振興協会

• 山本 剛之

  (財)光産業技術振興協会

• 森 和行

  (株)富士通研究所

• 森 和行

  富士通(株)

• 山本 剛之

  株式会社富士通研究所

• 早川 明憲

  (株)富士通研究所

• 須藤 久男

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  東大ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構:東大生産技術研究所

• 田中 有

  (株)富士通研究所:(株)qdレーザ

• 田中 宏昌

  富士通(株)

• 高林 和雄

  (株)富士通研究所

• 植竹 理人

  (財)光産業技術振興協会

• 松田 学

  (財)光産業技術振興協会

• 江川 満

  (財)光産業技術振興協会

• 羽鳥 伸明

  東京大学生産技術研究所:東京大学ナノエレクトロニクス連携研究センター

• 羽鳥 伸明

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 羽鳥 伸明

  (株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構

• 中川 剛仁

  (株)富士通研究所

• 井出 聡

  富士通(株):技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 安岡 奈美

  富士通(株):(財)光産業技術振興協会

• 安岡 奈美

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:(株)富士通研究所

• 荒川 泰彦

  フォトニクス・エレクトニクス融合システム基盤技術開発研究機構:東京大学生産技術研究所

• 羽鳥 伸明

  富士通研究所

• 秋山 傑

  富士通研究所

• 奥村 滋一

  技術研究組合光電子融合基盤技術研究所

• 羽鳥 伸明

  Institute for Photonics-Electronics Convergence System Technology:Photonics Electronics Technology Research Association

• 奥村 滋一

  株式会社富士通研究所

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著作論文

• C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
• C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-26 コラムナ量子ドット半導体光増幅器アレイの高温・広帯域動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
• C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)

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