AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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概要
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AlGaInAs系高抵抗埋め込みDitributed Reflector(DR)レーザの高速直接変調動作を報告する。本レーザは、高速変調に有利な短共振器・活性層の高い微分利得・高抵抗埋め込みによる電流狭窄により、低消費電力下で高速動作が可能な構造である。波長1.3µm帯の短共振器DRレーザの直接変調動作において、40Gbps駆動で70度まで、50Gbps駆動で50度までの良好なアイ開口が得られ、10kmまでのファイバ伝送で波形が劣化しないことを確認した。また、高抵抗基板上に形成したDRレーザアレイでは、50度においてLAN-WDMグリッドに合致した4波長での発振と10mW以上の高出力が得られた。レーン当たり25.8Gbpsの変調動作では、アレイ内の2レーザを同時駆動してもアイ開口に目立った劣化は見られなかった。これらの結果から、本レーザ構造が次世代通信用光源として有望であることが示された。
- 2012-12-06
著者
-
植竹 理人
株式会社富士通研究所
-
江川 満
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
株式会社富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
植竹 理人
(株)富士通研究所
-
奥村 滋一
(株)富士通研究所
-
下山 峰史
株式会社富士通研究所
-
松田 学
株式会社富士通研究所
-
江川 満
富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
山本 剛之
技術研究組合光電子融合基盤技術研究所:富士通(株):(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)QDレーザ
-
奥村 滋一
株式会社富士通研究所
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