高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
半導体レーザのゼロバイアスでの変調は駆動回路の簡略化や高い消光比が得られるといった利点があり、その実現が期待されている。この場合に重要となるのが発振遅延の低減である。とくに、電圧を印加しない完全ゼロバイアス状態からの変調では素子容量の影響が大きい。これまで、我々は光ファイバとの結合特性に優れたテーパ導波路レーザについて、1mAの低バイアス電流で良好な変調特性を確認している。今回、素子容量低減のため高抵抗lnP層を用いた埋め込み構造を採用し、良好な特性を得たので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
-
渡辺 孝幸
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所
-
小林 宏彦
(株)富士通研究所
-
竹内 辰也
株式会社富士通研究所
-
竹内 辰也
(株)富士通研究所
-
小林 正宏
株式会社富士通研究所
-
藤井 卓也
株式会社富士通研究所
-
小林 宏彦
株式会社富士通研究所
-
荻田 省一
株式会社富士通研究所
-
石川 務
(株)富士通研究所
-
渡辺 孝幸
富士通(株)
-
藤井 卓也
(株)富士通研究所
-
荻田 省一
(株)富士通研究所
-
小林 正宏
(株)富士通研究所
-
山本 剛之
(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会
-
石川 務
住友電工デバイス・イノベーション(株)
-
藤井 卓也
住友電工デバイス・イノベーション(株)
関連論文
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- テーパ導波路FBHレーザ
- テーパ導波路FBHレーザの電極長の理論検討
- 量子井戸FPレーザにおける発振波長の温度依存性
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- B-12-11 量子ドットレーザを用いた温度無依存10Gbps 300m-MMF伝送(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- 波長フィルタ機能を有するチューナブル反射器を用いた高出力単一ストライプ型フルバンドチューナブルレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- C-4-20 高出力・広帯域波長可変レーザモジュール(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザの低しきい値化の検討
- テーパ導波路FBHレーザの戻り光雑音特性
- C-4-13 高い飽和光出力を持つ1.55μm帯偏波無依存型半導体光増幅器における10Gb/s変調光増幅特性
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- MOVPE選択成長の原理と定量的解析
- 交互供給MOVPE法によるInGaAs自己形成量子ドットの成長(ヘテロエピタキシーと界面構造制御)
- 半導体レ-ザの直接周波数変調 (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- 波長可変半導体レ-ザ (光の波長・位相制御技術とその応用論文特集)
- C-4-30 1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広温度範囲10.3Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- C-4-12 高出力・低ノイズ波長可変レーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 量子ドット光デバイス (特集 研究開発最前線)
- C-4-8 InP系マッハ・ツェンダ変調器による10Gb/sゼロ・負チャープ動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザ : 単一モード化,高速化の検討(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 波長1.3μm帯高抵抗埋め込みAlGaInAs歪量子井戸DFBレーザの高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- AlGaInAs系電界吸収型変調器集積λ/4シフトDFBレーザの高出力10Gb/s動作(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- プラットフォーム平面実装を用いた高効率光結合モジュール
- PLCプラットフォームへのマーカによる無調芯高均一光結合素子実装
- PLCプラットフォームへのマーカによる無調芯高均一光結合素子実装
- PLCプラットフォームへのマーカによる無調芯高均一光結合素子実装
- PLCプラットフォームへのマーカによる無調芯高均一光結合素子実装
- PLC平面実装による高均一光出力モニタ特性
- C-4-28 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの25.8Gbps 50℃直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- レーザー
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- CBS-2-5 容量装荷型進行波電極を有するInP系高速マッハ・ツェンダ変調器(CBS-2.超高速光通信技術の現状と展望,シンポジウム)
- C-4-24 InP系マッハツェンダ変調器における駆動電圧(2V_)一定の低チャープ10Gb/s広波長帯域(30nm)動作(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(変調器・受光器), エレクトロニクス1)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- マーカによるPLCプラットフォームへのLD無調芯実装
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 高抵抗埋め込みテーパ導波路レーザ
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 歪量子井戸半導体レーザの光検出特性における偏波依存性
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 波長フィルタ機能を有するチューナブル反射器を用いた高出力単一ストライプ型フルバンドチューナブルレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- 低駆動電流40-Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- SLALOMを光位相比較器として用いたPLLによるクロック再生
- 1.3μm帯InGaAsP/InP量子井戸レーザにおける利得の温度依存性
- テーパ導波路レーザの導波路光結合特性
- テーパ導波路FBHレーザとシングルモードファイバとの結合特性
- 量子井戸FPレーザにおける発振波長の温度依存性
- テーパ導波路FBHレーザの変調特性
- テーパ導波路FBHレーザの高温動作
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ファイバ-アンプ励起用半導体レ-ザ- (ファイバ-光学)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発
- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 4-4 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化(4.光デバイスの最前線,世界的な競争領域にある最先端デバイス技術)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-2 波長1.3μm帯AIGalnAs系DRレーザアレイの50℃同時駆動43Gb/s直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 光ファイバ通信用直接変調レーザの高速化