InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討

概要

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InP系マッハツェンダ変調器はコンパクトかつチャーピング制御可能という利点を有しているため、高速光通信用変調器として有望である。しかしながら、20GHz以上の広帯域化が可能な電極構造が確立していないため、これまでに報告されている動作は10Gb/sまでのものが多い。これに対して我々は、PIN層構造の変調器を光軸に沿って細かく分断し、間に電気容量の小さい領域を挟んで連結する事で50Ωへのインピーダンスマッチングが可能となる進行波電極構造を新たに提案し、InP系マッハツェンダ変調器の高速化を検討している。本報告では、我々が提案する電極構造について説明し、実際にこのような電極構造を有するマッハツェンダ変調器を作製、評価した結果について述べる。電極のS^11反射特性の評価から、我々の提案する電極においては50Ωへのインピーダンスマッチングが得られている事を確認し、その結果、光変調の小信号応答特性において変調帯域の増大が得られた。これにより40Gb/sにおいて良好なアイの開口が観察された。
社団法人電子情報通信学会の論文
2002-11-08