SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
シリコンプラットフォーム上のキャリアプラズマを利用した導波路型光アクティブデバイスの省電力化・小型化には,高効率なキャリア蓄積がキーとなる.それを可能とする構造として,我々は,SiGe/Si細線導波路構造を提案している.本提案構造は,SiGe/Siヘテロ構造のキャリア閉じ込め効果により,キャリアプラズマを利用するデバイスにおいて,SiGeよりなる導波路コア領域への高効率なキャリア注入が実現できる.本報告では,我々の提案構造について,数値シミュレーションにおけるその効果の検証と,実際に作製した光スイッチおよび可変光減衰器(VOA)における小型,省電力動作,ならびに高速動作特牲について報告する.SiGe/Si細線導波路光スイッチにおいて,位相シフタ長250μmと小型ながら,1.53mWの低消費電力でのスイッチング動作および,高速駆動時において4.6ns以下の高速スイッチングを実現した.また,SiGe/Si導波路型VOAにおいて,従来のSi細線構造VOAと比較して,同じ素子長において30-50%の省電流化を実現した.これらの結果は,我々の提案するSiGe/Si構造が,シリコンプラットフォーム上のアクティブデバイスの小型化,低電力化に有効であることを示した.
- 2012-08-16
著者
-
関口 茂昭
株式会社富士通研究所
-
関口 茂昭
(株)富士通研究所
-
森戸 健
(株)富士通研究所
-
森戸 健
株式会社富士通研究所
-
森戸 健
財団法人光産業技術振興協会:富士通株式会社光モジュール事業本部
-
関口 茂昭
富士通株式会社:技術研究組合光電子融合基盤技術研究所
-
森戸 健
富士通研
-
倉橋 輝雄
富士通研究所
-
朱 雷
株式会社富士通研究所
-
倉橋 輝雄
株式会社富士通研究所
-
河口 研一
株式会社富士通研究所
関連論文
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- [招待論文]半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域(132nm)波長可変レーザ(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- 10Gb/s用MQW構造変調器集積化DFBレーザ
- 新構造10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ : 歪補償MQWとグレーディドSCH導入によるホール蓄積の低減
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- C-4-8 半導体光増幅器および音響光学波長可変フィルタを用いた広帯域 (132nm) 波長可変レーザ
- 光ネットワーク用デバイス (特集:研究開発最前線) -- (情報通信インフラを支える最先端テクノロジ)
- C-3-74 AOTFを用いた波長可変リングレーザ
- C-4-13 高い飽和光出力を持つ1.55μm帯偏波無依存型半導体光増幅器における10Gb/s変調光増幅特性
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 光時分割多重を用いたスーパーハイビジョン映像の伝送(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 超高速光LAN-SANシステム化技術の目標と現状(省エネルギーと超高速インターネット-システム,省エネルギーと超高速インターネット,一般)
- BS-10-5 超高精細映像時代に向けた光LAN要素技術開発(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御
- 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- CS-6-6 半導体導波路型90°ハイブリッド(CS-6.コヒーレント通信用光デバイスの進展,シンポジウムセッション)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- TDA-DFBレーザを用いた波長可変EML素子(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- AOTFとEDFAを用いた波長可変リングレーザ
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- 容量装荷型進行波電極によるInP系マッハツェンダ変調器の高速・低電圧動作の検討(超高速・大容量光伝送処理,デバイス技術,及び一般)
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- InP系マッハツェンダ変調器の高速化の検討
- C-3-38 広波長帯域(〜94nm)新型90°ハイブリッド(導波路デバイス(2),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 伸張歪バルク活性層を持つ偏波無依存型半導体光増幅器
- 低駆動電圧10Gb/s用変調器集積化DFBレーザ
- 変調器集積化DFBレーザを用いた10Gb/s SMF伝送特性の検討
- 低駆動電圧変調器集積化DFBレーザによる10Gb/s,100km伝送
- 変調器集積化DFBレーザのブルーチャープ動作による10Gb/s,100Km伝送
- 歪量子井戸半導体レーザの光検出特性における偏波依存性
- 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 8入力1出力の集積SOAを用いた超小型光スイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- BS-10-6 集積型SOAゲートスイッチを用いる高速光スイッチシステム(BS-10.光スイッチング・光インターコネクション・光LAN技術〜ラック間・ボード間・チップ間光ネットワークへ〜,シンポジウムセッション)
- B-10-33 長距離伝送を考慮したTDA-DFBレーザの高速波長チューニング(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- C-4-17 EA変調器集積TDA-DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レべル制御(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- ヒータ搭載SOAによる高出力・広範囲光レベル制御(フォトニック NW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,及び一般)
- C-4-23 ヒータを用いたSOA利得制御による入出力ダイナミックレンジ拡大(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-21 高出力8:1ch集積型SOAゲートスイッチアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 8:1ch集積型半導体光増幅器ゲートスイッチアレイ(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 高出力偏波無依存型MQW-SOA(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式
- マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- マッハ・ツェンダ干渉計型SOAの四光波混合を用いたトランスペアレントな波長変換方式(フォトニックNW・デバイス, フォトニック結晶・ファイバとその応用, 光集積回路, 光導波路素子, 光スイッチング, 導波路解析, 及び一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 半導体素子を用いた43G-VSRの172Gb/s光時分割・多重カスケード動作(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 偏波無依存型のアレイアイソレータを内蔵したSOAゲートアレイスイッチモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-51 直線テーパ型MMIカプラを用いた小形90°ハイブリッド(光フロントエンド,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- TDA-DFBアレイ集積型波長可変レーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,及び一般)
- Tunable Twin Guide DFBレーザの波長可変特性(半導体レーザ関連技術, 及び一般)
- B-10-41 XFPモジュール搭載TDA-EMLの性能評価(B-10.光通信システムA(線路),一般講演)
- 多波長スペクトルスライス光源のための高出力SLDの特性解析と試作
- CI-3-2 低電力・高速動作SiGe細線導波路光スイッチ(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-4-37 CWDMシステムに向けた高出力(+22dBm)偏波無依存型半導体光増幅器モジュールの開発(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス(光増幅・注入同期), エレクトロニクス1)
- スーパーハイビジョン映像の172Gbps-光時分割多重伝送実演(省エネルギーと超高速ネットワーク,省エネルギーと超高速ネットワーク,一般)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-4-6 クーラレス偏波無依存型AlGaInAs SOAモジュールの広温度範囲動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内臓4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内蔵4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- 超高消光比・低クロストーク特性の光アイソレータ内蔵4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器 (信頼性)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器 (光エレクトロニクス)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器 (電子部品・材料)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器 (機構デバイス)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-25 小型・低消費電力AlGaInAs MQW-SOAモジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ
- C-3-58 リング装荷遅延干渉計を用いたSi細線型波長合分波器(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-65 リング共振器装荷型光変調器を集積したシリコンフォトニクス送信部の波長無調整10Gb/s動作(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- SiGe/Si細線導波路構造を用いた省電力光スイッチ・可変光減衰器(光部品・電子デバイス実装技術・信頼性,及び一般)
- 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 全ポート同時に駆動可能な低波長依存性光結合方式を用いた4アレイ集積SOAモジュール(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
- シリコンCWDM光送信器に向けた4波長シリコンハイブリッドレーザアレイ(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)