歪量子井戸半導体レーザの光検出特性における偏波依存性

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概要

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加入者系における代表的な通信方式であるTCM方式においてレーザトランシーバが必要となると考えられる。レーザトランシーバには光源として低しきい値特性などが求められるために活性層への歪量子井戸構造の適用が必須になると考えられる。しかし、量子井戸構造では光検出特性の偏波依存性が顕著になることが推測される。そこで我々は歪量子井戸構造の光検出特性における偏波依存性を測定しその改善方法を検討した。その結果、圧縮歪レーザに比べ引張歪レーザの方が偏波依存性が小さくなることがわかった。また、引張歪レーザにおいて低しきい値特性と偏波無依存性とは相反関係になっており、十分な低しきい値特性を得る構造では若干の偏波依存性が生じることがわかった。そして、偏波依存性改善のために逆バイアスの印加が有効であることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-11-19

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